钛靶靶材并不是普通的材料，它是纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。下面给大家介绍一下钛靶靶材的主要性能要求。

　　一、纯度

　　纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能有很大的影响。但在实际应用中，靶材的纯度要求不尽相同。例如，随着微电子工业的快速发展，硅片的尺寸由6英寸、8英寸发展到12英寸，而布线宽度由0.5um减小到0.25um、0.18um甚至0.13um。以前，99.995%的目标纯度可以满足0.35um IC的工艺要求，而0.18um线的制备则需要99.999%甚至99.9999%的目标纯度。

　　二、杂质含量

　　杂质含量目标固体中的杂质和孔隙中的氧、水蒸气是主要的污染源。不同的靶材对不同的杂质含量有不同的要求。例如，半导体工业用纯铝和铝合金靶材对碱金属含量和放射性元素含量有特殊要求。

　　三、密度

　　为了减少靶材中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶的密度不仅影响溅射速率，而且影响薄膜的电学和光学性能。靶密度越高，薄膜性能越好。另外，提高靶材的密度和强度可以使靶材更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是目标的关键性能指标之一。

　　四、晶粒尺寸和晶粒分布

　　通常目标材料是多晶结构，晶粒尺寸可以从微米到毫米。对于同一靶材，小晶粒靶材的溅射速率比大晶粒靶材快，而小晶粒差靶材（均匀分布）沉积的薄膜厚度分布更均匀。